OMAP4430片上系统
OMAP4430是德州仪器2011年的产品，基于德州仪器第4代OMAP(开放式多媒体应用平台)架构。使用OMAP4430片上系统的代表产品有LG Optimus 3D、Motorola Milestone 3、Motorola Atrix等。这款芯片是一个片上系统(SoC)，所谓SoC就是指芯片中不仅包含CPU的部分，还可能包含GPU、手机通信基带等等。目前SoC和CPU之间的区别越来越小，比如INTEL的CPU需要和主板上的INTEL芯片组一起工作，在之前INTEL主板有北桥芯片和南桥芯片，后来北桥芯片就装进了CPU内，主板上就只剩下了南桥芯片，也就是说后来的INTEL处理器也可看作SoC。
内部结构
OMAP4430和酷睿的最大区别是其使用ARM指令集，其应用场景不在PC/笔记本，在高性能的移动/嵌入式场景，比如智能手机、平板、物联网设备等。这里来看OMAP4430内部的模块：
1) CPU：2个ARM Cortex-A9处理器(核心)，ARM Cortex-A9核心具有2发射超标量的微体系结构，指令集为ARM v7，主频为1GHz，流片工艺为45nm；
2) 加速处理器：加速处理器是指专门用于特定场景的处理器，当遇到这部分场景时加速处理器会替代CPU来完成计算任务。OMAP4430中重要的3个加速处理器为图形处理器(GPU) POWERVR SGX540、图像信号处理器(ISP)、视频信号处理器IVA3；
3) 外部设备接口：比如触摸屏、键盘控制器、DRAM、Flash、USB、HDMI等等；
OMAP4430将其各个处理器部件精心设计调试为低能耗的，在满负载下其功耗为600mW，仅为酷睿等PC端CPU的百分之一的量级。并且其引入了这样两种能量管理方法：
1) 动态电压调节(DVS)：即OMAP4430上的某个部件不满载时，适当降低其电压。这种技术也用于更新的酷睿处理，当CPU不满载时，会适当降低其电压和频率，称为动态电压频率调节(DVFS)；
2) 门控电源：即OMAP4430上的某个部件在不被使用时，可以暂时断开其供电；
除了节省能耗，OMAP4430的ARM A9核心是非常高效的，其可在每个周期译码和执行至多2条ISA指令，这代表了其最大吞吐率。不过由于指令不一定都能够“并行”，故大多情况下不能有这么高的吞吐率。为此ARM设计了强有力的分支预测、乱序执行等，并对存储系统做了高度优化。
高速缓存与LPDDR2内存操作
OMAP4430上的每个ARM A9核心都有核心私有的2个L1高速缓存，1个32KB的指令缓存，1个是32KB的数据缓存。其和酷睿一样具有L2高速缓存，不过OMAP4430的L2高速缓存由2个ARM A9核心共享，并且仅有1MB。OMAP4430支持LPDDR2内存，其高速缓存由LPDDR2内存提供数据。LPDDR2标准由DDR2标准改进而来，LPDDR2适用于低能耗场景，并且使用更少的导线。另外LPDDR2的存储控制器还支持预取、预处理的技术。OMAP4430的LPDDR2接口是集成在SoC内的，LPDDR2内存可以直接连接OMAP4430，并且OMAP4430有两个LPDDR2接口，即支持双通道内存，两个通道(总线)可以并行的访问。
这里非常简单的讨论下OMAP4430的高速缓存操作，缓存的基本单位是缓存行(Cache Line)，CPU在处理缓存方面的东西时会将内存“按缓存行编址”，OMAP4430中1个缓存行=32字节。其在工作时会将访问次数最多的1024个数据行和1024个地址行放入L1缓存，L2缓存保存访问次数相对少的数据行和地址行。当在L1缓存没有找到所需的行时，CPU会将行的标记地址发送给L2，问L2有没有这个行，如果L2里有，CPU需要花费19个周期获得这个行，代价比较大。如果还没找到会去LPDDR2内存找，代价更大。
然后非常简单的讨论下OMAP4430的内存操作，在进行内存访问时，OMAP4430首先将地址的高位放到13位地址线，执行ACTIVATE(跟之前讨论的DDR3类似，用于激活内存行)，然后内存会把整个行(内存行不是缓存行)的数据装入行缓冲区。然后继续在控制线发出多个读或写的操作，同时把地址的低位放到13位地址线上，并在32位的数据线上发送接收数据(也是32位)。
由于内存操作需要的周期很多，CPU会用这些周期做别的事情，做别的事情可能又需要内存操作。所以OMAP4430的两个LPDDR2内存总线会并行的工作，甚至处理来自同一个CPU的任务。通常对内存的操作都会采用突发读写，因为从内存读到的数据往往要存入高速缓存，而高速缓存的行会比字长要长。